专利信息登记表（供给方）

专利名称	v 一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法
专利类型	国内专利
申请号/专利号	CN201910265560.2
专利权人	合肥九州龙腾科技成果转化有限公司
申请日
授权日
公开（公告）号	CN110044866A
法律状态	已授权
行业分类	纳米材料
战略性新兴产业分类	其他高性能复合材料
意向价格	面议
权属人所属地域	安徽省-合肥市-市辖区
IPC分类	G01 测量、测试
专利类别	发明
是否有PCT 选项
合作方式	技术转让|技术服务|

专利摘要

本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO2薄膜，在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成，以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑，将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷，通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境，以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。

信息有效期

至

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